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存储大厂们DRAM先进制程进行到哪一步了?

发布时间:

2023-10-20 15:56

10月19日,美光宣布已将业界领先的1β制程技术应用于16Gb容量版本的DDR5内存,现已面向数据中心及PC市场的所有客户出货。

性能上,美光1β DDR5 DRAM提供速率从4800MT/s到7200MT/s的现有模块密度,并采用先进的High-KCMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术,相比上一代产品,性能提升高达50%,每瓦性能提升33%。

美光1β DDR5 DRAM支持计算能力向更高的性能扩展,能支持数据中心和客户端平台上的人工智能(AI)训练和推理、生成式AI、数据分析和内存数据库(IMDB)等应用。

此外,美光的1β技术已应用至公司广泛的内存解决方案,包括采用16Gb、24Gb和32Gb DRAM裸片的DDR5 RDIMM和MCRDIMM;采用16Gb和24Gb DRAM裸片的LPDDR5X;HBM3E和GDDR7。

DRAM先进制程进展如何?

随着多核CPU数量的增加,满足下一代带宽要求的压力变得更大,因此需要更高的内存技术。目前,DRAM先进制程技术已发展至第五代,10nm级别,美光称之为1β DRAM,三星等厂商称之为1b DRAM。

去年,美光正式量产1β DRAM,相较上一代的1α(1-alpha)制程,美光最新的1-beta制程功耗降低约15%,位元密度提升超过35%,每颗晶粒容量可达16Gb。

1β是目前全球先进的DRAM制程节点,随着1β量产出货,美光已经开始布局下一代技术研发。据悉,美光计划于2025年量产1γ DRAM,该制程将会先在台中有EUV的制造工厂量产。

三星方面,今年5月,三星量产12nm级16Gb DDR5 DRAM;9月,三星开发出基于12nm级工艺技术的32Gb DDR5 DRAM,将于今年年底开始量产。

三星计划于2023年进入1bnm工艺阶段,芯片容量将达到 24Gb(3GB)- 32Gb(4GB),原生速度将在6.4-7.2Gbp。三星透露,将于2026年推出DDR6内存,2027年即实现原生10Gbps的速度。半导体设备

据披露,三星正在开发行业内领先的11nm级DRAM芯片。李政培表示,三星正在为DRAM开发3D堆叠结构和新材料。

SK海力士方面,今年1月,SK海力士将第四代10nm级(1a)DDR5服务器DRAM适用到英特尔®第四代至强®可扩展处理器(4th Gen Intel® Xeon® Scalable processors),并在业界首次获得认证。半导体设备厂家

5月,SK海力士第5代10nm工艺1bnm已完成技术研发,采用“HKMG(High-K Metal Gate)”工艺,与1a DDR5 DRAM相比功耗减少了20%以上。并计划,明年上半年将把1b工艺扩大适用于LPDDR5T、HBM3E等高性能产品。

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