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三星明年将推300层以上V-NAND

发布时间:

2023-10-20 15:51

存储器大厂三星分享 V-NAND(即 3D NAND)发展计划,证实 2024 年将生产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存,这将是业界最高层数。

三星总裁暨存储器事业部负责人Jung-bae Lee 在博客中写道,第九代V-NAND基于双层结构,层数将达到业界最高水平,将于明年初量产。

三星正开发超过300 层的第九代 V-NAND,保留三星 2020 年首次采用的双层堆叠技术。三星不仅证实非挥发性存储器已步入正轨,其层数有望超过竞争对手。

Jung-Bae Lee 指出,三星还在研究下一代具价值的技术,包括最大限度提高 V-NAND 输入/输出 (I/O) 速度的新结构。

虽然还不知道三星第 9 代 V-NAND 性能如何,但根据外媒报道,三星在即将推出的 SSD 中使用这种闪存。届时,就能看到三星采用 PCIe Gen5 接口的零售 SSD——三星 990 Pro 系列后续产品。半导体自动化厂家

报道指出,三星现在致力于大幅减少单元干扰、降低高度和最大限度地增加垂直层数,以实现业内最小单元尺寸。这些创新有助于推动三星实现创建1,000层以上3D NAND和闪存解决方案,确保产品适用于数据中心、PC等应用。

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